中芯集成申请半导体器件及其制备方法专利，如此可提升器件的抗冲击性能和可靠性

金融界2024年6月28日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“，中芯集成申请半导体器件及其制备方法专利，如此可提升器件的抗冲击性能和可靠性公开号CN202410414691.3，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本申请实施例涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：基底；第一支撑部和第一功能层，第一支撑部的底部连接于基底，第一支撑部的顶部与第一功能层的外侧边缘连接，第一支撑部作为支撑第一功能层的桥墩结构而使得第一功能层悬置于基底的上方，以在基底和第一功能层之间形成第一空腔；第二支撑部的底部连接于第一功能层，第二功能层的内端部与第二支撑部的顶部连接且外端部悬置于第一功能层上方，以在第一功能层与第二功能层之间形成第二空腔，第二空腔具有位于第二功能层的外端部侧的敞口；支撑结构，支撑结构的底部连接于第一支撑部，至少部分支撑结构经由敞口延伸至第二空腔内。如此可提升器件的抗冲击性能和可靠性。